Professor Soo-Hyun Kim’s current research interests and topics are focused on developments of the process technology for nanoscale thin films using atomic layer deposition (ALD) and area-selective ALD (AS-ALD), and their applications into the advanced Cu metallization, emerging interconnects technology for semiconductor devices. He is also focusing on the development of advanced nanomaterials using ALD for clean energy conversion, storing, and sensing. For the successful development of ALD process, suitable precursors with excellent properties such as high vapor pressure, thermal stability, high reactivity with the reactant etc. are necessary, the new ALD precursor development for high-performance ALD process is one of his research topics.
연구분야 키워드
#ALD precursor
#area-selective ALD (AS-ALD)
#atomic layer deposition (ALD)
#Metallization Process (반도체 배선 공정)
#원자층 증착법을 활용한 나노 소재 기능화
졸업생 정보
IDM: 삼성전자, SK hynix등 반도체 장비회사: 원익 IPS, 주성 엔지니어링, Lam Research, KLA, 코미코 반도체 소재회사: 한솔 케미칼, 솔브레인, 일본 다나까 귀금속, LG 이노텍 재료 분석 장비 회사: Thermo-fisher scientific, Oxford등 연구소: DGIST, KBSI 국공립 기관: 경북 테크노 파크
연구실 지원 방법
UNIST 대학원 전형 일정 참고 (https://adm-g.unist.ac.kr/)
자격 조건
- 대학원생: 학부 전공 재료 공학/신소재 공학, 화학 공학 및 유사 전공 졸업/졸업 예정자 - 학부 인턴: 면접 후 선발
대우 조건
- 등록금 지원 - 생활비 지원 - 기숙사 제공 (학교에서 제공하는 것으로 기숙사 비는 개인 부담) - 전문 연구 요원 (군복무 대체) 편입 가능 (박사 과정)